Transistor

Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 0.05A. Marcatura sulla cassa: C2310 O. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92L (9mm magas). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 0.05A. Marcatura sulla cassa: C2310 Y. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92L (9mm magas). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistenza B: 10. Resistenza BE: 10. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Corrente del collettore: 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistenza B: 10. Resistenza BE: 10. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: 0501-000367. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Spec info: Altezza 9 mm. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 60pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: hFE 120...240. Corrente del collettore: 0.7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V

Costo): 60pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 10A. Marcatura sulla cassa: KSC5027 (O). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 60pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Resistenza BE: 10. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Dyn Focus. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 4W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 900V. Spec info: HV switch. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Resistenza BE: 10. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Corrente del collettore: 8A. Nota: MONITOR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Resistenza BE: 10. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: High Switching 0.1us. Guadagno hFE massimo: 22. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 7A. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5386. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 4.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Costo): 80pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA (F). Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Spec info: Monitor 68KHz. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 90pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA (F). Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Spec info: Rbe 50 Ohms, monitor 69kHz. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA (F). Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: C5803. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Spec info: For C-Monitor (85KHz). Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: FM-V/M/O/IF. Corrente del collettore: 0.03A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Spec info: 12149301860. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: FM-V/M/O/IF. Corrente del collettore: 0.03A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Spec info: 62137301900

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Corrente del collettore: 0.05A. Nota: hFE 350...700. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Spec info: 0501-000394

Piedinatura: 1. C(in): 1.5pF. Costo): 11pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 150mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSA733. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Piedinatura: 1. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 150mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSA733. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 35pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 150. Corrente del collettore: 3A. Marcatura sulla cassa: D2012-G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSB1366. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 20pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: 0.1...0.3us. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Spec info: 12149-401-070

Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Spec info: SD882-Y

Costo): 180pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Modalità interruttore ad alta tensione . Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 24A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 4A. Nota: b>750. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: 0503-000001