Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v - KSD882-Y

Transistor NPN, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v - KSD882-Y
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Transistor NPN, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v - KSD882-Y. Transistor NPN, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Spec info: SD882-Y. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 06:25.

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Transistor NPN, 3A, TO-126, 30 v, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 3A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Costo): 45pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 7A. Marcatura sulla cassa: D882. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB772. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 3A, TO-126, 30 v, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 3A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Costo): 45pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 7A. Marcatura sulla cassa: D882. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB772. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky. Alloggiamento: saldatura PCB. Allog...
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NE555P

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RoHS: sì. Famiglia di componenti: circuiti "timer".. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D...
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