Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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KSD882-Y

KSD882-Y
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25 - 49 0.30€ 0.37€
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KSD882-Y. Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Spec info: SD882-Y. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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2SD882

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Costo): 45pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Guadagno hFE ...
2SD882
Costo): 45pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 7A. Marcatura sulla cassa: D882. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB772. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SD882
Costo): 45pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 7A. Marcatura sulla cassa: D882. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB772. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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DB3

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Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-35. Custodia (standard JEDEC): DO-204AH. Configurazi...
DB3
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1N5819

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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky. Alloggiamento: saldatura PCB. Allog...
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TKR221M1VFBB

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Tensione CC: 35V. Capacità: 220uF. Diametro: 8mm. Durata di vita: 2000 ore. Lunghezza: 11.5mm. Conf...
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Costo): 120pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: Am...
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PICO-3-0A

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Corrente continua massima: 3A. Voltaggio: 125V. Materiale esterno: rivestimento epossidico. Dimensi...
PICO-3-0A
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NE555P

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RoHS: sì. Famiglia di componenti: circuiti "timer".. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D...
NE555P
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