Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v - 2SD882

Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v - 2SD882
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Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v - 2SD882. Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Costo): 45pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 7A. Marcatura sulla cassa: D882. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB772. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Inchange Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 28/07/2025, 09:25.

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MJE243G

MJE243G

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-225, 4mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Cor...
MJE243G
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-225, 4mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Corrente collettore Ic [A], max.: 4mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE243G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 40 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.015W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
MJE243G
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-225, 4mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Corrente collettore Ic [A], max.: 4mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE243G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 40 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.015W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
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KSD882-Y

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Transistor NPN, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-126F. Cus...
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Transistor NPN, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Spec info: SD882-Y. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN
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Transistor NPN, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Spec info: SD882-Y. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN
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2SK1460
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2SD882

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Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Corrente del collettore: 3A. Alloggiament...
2SD882
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