Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v - 2SD882

Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v - 2SD882
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Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v - 2SD882. Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Costo): 45pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 7A. Marcatura sulla cassa: D882. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB772. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Inchange Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 09:25.

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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-225. Costo): TO-225. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità, Audio. Guadagno hFE massimo: 180. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE253. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V
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Transistor NPN, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Spec info: SD882-Y. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN
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