Transistor

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST-SWITCH. Guadagno hFE massimo: 18. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 16A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 58W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Quantità per scatola: 2. Tensione collettore-emettitore VCEO: 50V. Corrente del collettore: 0.8A. Potenza: 0.46W. Alloggiamento: TO-78

Costo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data di produzione: 2014/17. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 6. Corrente del collettore: 14A. Ic(impulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 1700pF. Costo): 184pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 430 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 49W. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 76 ns. Td(acceso): 38 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Funzione: SMPS, commutazione ad alta velocità. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1650pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 355 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 49.6W. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 132 ns. Td(acceso): 27 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Funzione: SMPS, commutazione ad alta velocità. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 780pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 272 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 28nC, Crss basso 24pF. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: +55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione GS: NINCS

C(in): 1160pF. Costo): 134pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 360ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: MDF9N60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.65 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 31 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Funzione: SMPS, commutazione ad alta velocità. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Costo): 2.5pF. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 175W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.6us. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO–204AE ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 650V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 8V. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 4pF. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 25. Corrente del collettore: 50A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO–204AE ). Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 7pF. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 75...1000. Corrente del collettore: 60A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO–204AE ). Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ11015G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30A. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11016

RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): 4pF. Costo): TO-204AA. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): +200°C. Nota: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11015. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: PNP. Tipo: transistor Darlington. Tensione collettore-emettitore VCEO: -60V. Corrente del collettore: -50A. Potenza: 300W

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Guadagno hFE massimo: 18000. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 50A. Ic(impulso): 100A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11033

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ11032G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50A. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Costo): 300pF. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Guadagno hFE massimo: 18000. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 50A. Ic(impulso): 100A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204 ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11032

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ11033G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50A. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ15003G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 140V. Corrente collettore Ic [A], max.: 20A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15004

RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: 70. C(in): TO-3. Costo): TO-204AA. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: transistor di potenza. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 20A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15003. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Ic(impulso): 20A

Resistenza BE: 70. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Spec info: Motorola. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistenza BE: 70. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 6us. Tf(min): 4us. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15016. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ15015G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 6 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 180W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Costo): 360pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 200V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 6us. Tf(min): 4us. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15015. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ15016G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 18 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 180W. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C