Transistor

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Corrente del collettore: 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15023. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 350V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Audio ad alta potenza. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15023. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Corrente del collettore: 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15022. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 350V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V

Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Audio ad alta potenza. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15022. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Audio ad alta potenza. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15025. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ15024G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 16A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Costo): 280pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Audio ad alta potenza. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15024. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ15025G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 16A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -250V. Corrente del collettore: -16A. Potenza: 250W. Frequenza massima: 4 MHz. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ21193G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 16A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ21194G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 16A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Costo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204AA ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ21196. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 2pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204AA ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ21195. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 4pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Funzione: Applicazioni di commutazione e amplificazione. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N3055. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ2955G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2.5 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 115W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

C(in): 30pF. Costo): 8.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Corrente del collettore: 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ802G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 90V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -100V. Corrente del collettore: -6A. Potenza: 20W. Frequenza massima: 3MHz. Alloggiamento: I-PAK

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: J44H11. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 85 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: J44H11. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 85 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Costo): 45pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 85 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: 44H11G. Equivalenti: MJD44H11G, MJD44H11J. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tf (tipo): 140 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DPAK CASE 369C. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJD45H11T4G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: J45H11. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 90 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

Costo): 45pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 85 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: 45H11G. Equivalenti: MJD45H11G, MJD45H11J. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tf (tipo): 140 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DPAK CASE 369C. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJD45H11T4G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 3pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 80pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 14 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza bipolare. Tf(massimo): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 3pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 14 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza bipolare. Tf(massimo): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS