MJD45H11T4G

MJD45H11T4G. Costo): 45pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 85 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: 45H11G. Equivalenti: MJD45H11G, MJD45H11J. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tf (tipo): 140 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DPAK CASE 369C. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJD45H11T4G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 14:25.