Transistor

Marcatura del produttore: MJE13007G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 400V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 80W. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 400V. Corrente del collettore: 8A. Potenza: 80W. Frequenza massima: 14 MHz. Alloggiamento: TO-220AB. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE13009G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 400V. Corrente collettore Ic [A], max.: 12A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 150V. Potenza: 50W. Frequenza massima: 30MHz. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031G

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Alloggiamento: TO-220. Resistenza B: transistor di potenza. Resistenza BE: -150V. C(in): -8A. Costo): 50W. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15030G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 250V. Corrente del collettore: 8A. Potenza: 50W. Frequenza massima: 30MHz. Alloggiamento: TO-220

Alloggiamento: TO-220. Marcatura del produttore: MJE15032G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 30 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 250V. Corrente del collettore: 8A. Potenza: 50W. Frequenza massima: 30MHz. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15033

Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -250V. Corrente del collettore: -8A. Potenza: 50W. Frequenza massima: 30MHz. Alloggiamento: TO-220

RoHS: sì. Alloggiamento: TO-220. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220. Costo): 2pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15032. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 2.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15035G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 2.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 8A. Nota: transistor complementare (coppia) MJE15034G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 2.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13 MHz. Funzione: Applicazioni di alimentazione in modalità switching. Guadagno hFE massimo: 34. Guadagno hFE minimo: 12:1. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 400us. Tf(min): 70us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 9V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE18004G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 450V. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 13 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 14 MHz. Funzione: SMPS. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Spec info: SWITCHMODE. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 1750pF. Costo): 100pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13MHz. Funzione: Applicazioni di alimentazione in modalità switching. Guadagno hFE massimo: 14. Guadagno hFE minimo: 34. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. RoHS: sì. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 1000V. Corrente del collettore: 8A. Potenza: 120W. Alloggiamento: TO-220

Costo): 80pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 65MHz. Guadagno hFE massimo: 180. Guadagno hFE minimo: 45. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE210. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 120pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 65MHz. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE200. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Corrente del collettore: 4A. Resistenza B: transistor di potenza NPN. Resistenza BE: 100V. C(in): 4A. Costo): 15W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità, Audio. Guadagno hFE massimo: 180. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE253. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -100V. Corrente del collettore: -4A. Potenza: 15W. Frequenza massima: 40 MHz. Alloggiamento: TO-126. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità, Audio. Guadagno hFE massimo: 180. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE243. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Alloggiamento: TO-220. Resistenza B: transistor di potenza. Resistenza BE: -70V. C(in): -10A. Costo): 90W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE3055T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: per amplificatori audio HiFi e regolatori di commutazione. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE3055T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE2955TG. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE3055T. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Corrente del collettore: 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE2955T