Transistor

Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO–3PBL. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL21193. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Tensione collettore-emettitore VCEO: 250V. Corrente del collettore: 16A. Potenza: 200W. Alloggiamento: TO-264

C(in): 30pF. Costo): 8pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL21196. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL21195. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Transistor di potenza bipolare complementare. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL1302A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 35 MHz. Funzione: Audio di potenza, bassa distorsione armonica. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL4302A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon Power Bipolar Transistor. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Vebo: 5V

Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 35 MHz. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon Power Bipolar Transistor. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Vebo: 5V. Funzione: Audio di potenza, bassa distorsione armonica. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL4281A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Transistor di potenza bipolare complementare. Data di produzione: 201446. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Tecnologia: Transistor bipolare di potenza. Spec info: transistor complementare (coppia) MJW3281A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Eccellente linearità del guadagno. Data di produzione: 2015/04. Guadagno hFE massimo: 80. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJW21196. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Eccellente linearità del guadagno. Guadagno hFE massimo: 80. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJW21195. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 2.8pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Transistor di potenza bipolare complementare. Data di produzione: 201444 201513. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Tecnologia: Transistor bipolare di potenza. Spec info: transistor complementare (coppia) MJW1302A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Elettronica per auto. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 6uA. ID (min): 0.6uA. Marcatura sulla cassa: L2N06CL. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 5us. Td(acceso): 1us. Tecnologia: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Voltaggio Vds(max): 62V. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: MOSFET HYBRID. Protezione GS: sì

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MMBF170. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 10 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 40pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 6Z. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 10 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 60pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 6K. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale N. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 4.5pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: JFET. Funzione: Uni sym. Idss (massimo): 9mA. ID (min): 2mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 61 S. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: transistor JFET per uso generale. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 25V. Voltaggio gate/source Vgs: 3.5V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 61S. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

C(in): 5pF. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: JFET. Idss (massimo): 5mA. ID (min): 1mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 6E. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: J-FET amplificatore.. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 4 v. Vgs(esimo) min.: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

C(in): 5pF. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: JFET. Idss (massimo): 9mA. ID (min): 2mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 61U. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: J-FET amplificatore.. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 7.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: serigrafia/codice SMD 61U. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

C(in): 11pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Idss (massimo): 60mA. ID (min): 7mA. IGF: 50mA. Marcatura sulla cassa: 6W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: P-Channel Switch. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 6V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Nota: serigrafia/codice SMD 6W. Unità di condizionamento: 3000

Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Tipo di transistor: JFET. Idss (massimo): 20mA. ID (min): 1.5mA. IGF: 50mA. Marcatura sulla cassa: 6Y. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: P-Channel Switch. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 25V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.8V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 6Y. Unità di condizionamento: 3000

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 6Y. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: -20mA. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale P. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Tipo di transistor: JFET. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Marcatura sulla cassa: 62 P. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 40V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 62P. Unità di condizionamento: 3000. Spec info: VGS(off) 0.3V...1.5V. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Tipo di transistor: FET. Funzione: amplificatore, oscillatore e mixer VHF/UHF. Idss (massimo): 30mA. ID (min): 12mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 6U. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 25V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 6U. Unità di condizionamento: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Tipo di transistor: FET. Funzione: amplificatore, oscillatore e mixer VHF/UHF. Idss (massimo): 60mA. ID (min): 24mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 6T. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 25V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 6T. Unità di condizionamento: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 6T. Tensione drain-source Uds [V]: 25V. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: 60mA. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale N. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C