Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.28€ | 0.34€ |
10 - 24 | 0.26€ | 0.32€ |
25 - 49 | 0.25€ | 0.31€ |
50 - 99 | 0.24€ | 0.29€ |
100 - 249 | 0.18€ | 0.22€ |
250 - 499 | 0.17€ | 0.21€ |
500 - 8074 | 0.16€ | 0.20€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.28€ | 0.34€ |
10 - 24 | 0.26€ | 0.32€ |
25 - 49 | 0.25€ | 0.31€ |
50 - 99 | 0.24€ | 0.29€ |
100 - 249 | 0.18€ | 0.22€ |
250 - 499 | 0.17€ | 0.21€ |
500 - 8074 | 0.16€ | 0.20€ |
MMBF170LT1G. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 6Z. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 10 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 60pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 10:25.
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