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MJL21195

MJL21195
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MJL21195. C(in): 30pF. Costo): 8pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL21196. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 11:25.

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Prodotti equivalenti :

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Costo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: sili...
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Costo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204AA ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ21196. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Eccellente linearità del guadagno. Data di produzione: 2015/04. Guadagno hFE massimo: 80. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJW21196. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Eccellente linearità del guadagno. Data di produzione: 2015/04. Guadagno hFE massimo: 80. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJW21196. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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