Transistor

Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.35V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX551. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 5pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Transistor ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 300mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.35V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX451. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 50pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 240 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.23V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 30pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 175 MHz. Funzione: Saturazione molto bassa VBE(sat) 0,9 V. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(massimo): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.13V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX753. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Corrente del collettore: 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Funzione: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX790

Costo): 30pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: Saturazione molto bassa VBE(sat) 0,9 V. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(massimo): 600 ns. Tf(min): 40 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.17V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX653. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: ZTX758. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 400V. Corrente collettore Ic [A], max.: 0.5A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Saturazione molto bassa VBE(sat) 0,9 V. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 150. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 600 ns. Tf(min): 35us. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX690

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 300. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(massimo): 750 ns. Tf(min): 35us. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.45V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Saturazione molto bassa VBE(sat) 0,95 V

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Saturazione molto bassa VBE(sat)0,92V. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.58W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(massimo): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: ZVN3306F. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 6 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 35pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.33W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 0.18A. Idss (massimo): 0.18A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.7W. Rds sulla resistenza attiva: 10 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 200V. Quantità per scatola: 1

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: ZVP2110A. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.23A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 8 Ohms @ -0.375A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 12 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 100pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.7W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: ZVP3306F. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 8 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 50pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.33W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione drain-source Uds [V]: -240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.2A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 11 Ohms @ -0.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.0V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 298pF. Costo): 35pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 0uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Rds sulla resistenza attiva: 0.13 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 11.5 ns. Td(acceso): 1.9 ns. Tecnologia: "MOSFET in modalità potenziamento". Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 70V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS