Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.52€ | 3.07€ |
5 - 9 | 2.39€ | 2.92€ |
10 - 24 | 2.27€ | 2.77€ |
25 - 49 | 2.14€ | 2.61€ |
50 - 99 | 2.09€ | 2.55€ |
100 - 249 | 2.04€ | 2.49€ |
250+ | 1.94€ | 2.37€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.52€ | 3.07€ |
5 - 9 | 2.39€ | 2.92€ |
10 - 24 | 2.27€ | 2.77€ |
25 - 49 | 2.14€ | 2.61€ |
50 - 99 | 2.09€ | 2.55€ |
100 - 249 | 2.04€ | 2.49€ |
250+ | 1.94€ | 2.37€ |
ZTX649. Costo): 50pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 240 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.23V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 12:25.
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