ZTX653

ZTX653. Costo): 30pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 175 MHz. Funzione: Saturazione molto bassa VBE(sat) 0,9 V. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(massimo): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.13V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX753. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 12:25.