ZTX851

ZTX851. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Saturazione molto bassa VBE(sat)0,92V. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.58W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(massimo): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 12:25.