Transistor

Costo): 180pF. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 0.1A. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 180pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: 0.2W. Corrente del collettore: 0.1A. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Spec info: serigrafia/codice SMD 6B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 180pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: 0.2W. Corrente del collettore: 0.1A. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Spec info: serigrafia/codice SMD 6D. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: INFI->PANAS. Corrente del collettore: 0.1A. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

C(in): 75pF. Costo): 15pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: 1.6mm. Corrente del collettore: 0.1A. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=25°C): 0.47A. Idss (massimo): 0.47A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Voltaggio Vds(max): 60V. Quantità per scatola: 1

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VNB10N07. Tensione drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 100 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 900ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VNB14N04. Tensione drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 7A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 120ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 500 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VNB35N07-E. Tensione drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 200 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 800 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VNB49N04. Tensione drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 600 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 2400 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (massimo): 75uA. ID (min): 30uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7W. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 45V. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 1NV04P

Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 125 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Mosfet di potenza completamente autoprotetto. Protezione GS: diodo Zener. Id(imp): 14A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 50uA. IGF: 50mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 230 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: OMNIFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 70V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Limitazione di corrente lineare

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Mosfet di potenza completamente autoprotetto. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 50uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Rds sulla resistenza attiva: 0.05 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: OMNIFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 70V. Dissipazione massima Ptot [W]: 83W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): MOSFET. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VNP35N07. Tensione drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 200 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 1000 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 100 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Utilizzato per: Ilim= 35A IR= -50A. Voltaggio Vds(max): 70V. Tensione in ingresso Vin (max): 18V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VNP5N07-E. Tensione drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 2.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 100 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 250 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 31W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 107ns. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 75uA. ID (min): 30uA. Nota: serigrafia/codice SMD S3NV04DP. Marcatura sulla cassa: S3NV04DP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 4W. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 450 ns. Td(acceso): 90 ns. Tecnologia: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 45V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione drain-source Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 38A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.099 Ohms @ 15A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 53 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 193 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2940pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 277W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 130A. Potenza: 260W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0055 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 100V

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 200A. Potenza: 260W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0029 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 60V

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: P. Corrente di assorbimento massima: 30A. Potenza: 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.056 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -100V

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 70A. Potenza: 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0086 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source (Vds): 100V

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10A. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 200V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Voltaggio: 60V. Guadagno hFE massimo: 100 (500mA, 2V). Corrente del collettore: 100nA (ICBO). Numero di terminali: 8:1. Massimo: 140 MHz. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Potenza: 2.75W. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SM-8. Tipo di transistor: PNP & PNP. Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 150°C. Quantità per scatola: 2. Tensione di saturazione VCE(sat): 500mV (200mA, 2A)

Costo): 120pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Guadagno hFE massimo: 1200. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.03V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2000. Funzione: transistor unigiunzione UJT, hi-beta, lo-sat. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX788. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX550. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS