VNP10N07

VNP10N07. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 125 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Mosfet di potenza completamente autoprotetto. Protezione GS: diodo Zener. Id(imp): 14A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 50uA. IGF: 50mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 230 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: OMNIFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 70V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Limitazione di corrente lineare. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.