Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 4.40€ | 5.37€ |
5 - 9 | 4.18€ | 5.10€ |
10 - 24 | 3.96€ | 4.83€ |
25 - 49 | 3.74€ | 4.56€ |
50 - 89 | 2.90€ | 3.54€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.40€ | 5.37€ |
5 - 9 | 4.18€ | 5.10€ |
10 - 24 | 3.96€ | 4.83€ |
25 - 49 | 3.74€ | 4.56€ |
50 - 89 | 2.90€ | 3.54€ |
VNB10N07. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VNB10N07. Tensione drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 100 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 900ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.
Informazioni e aiuto tecnico
Pagamento e consegna
Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!
Tutti i diritti riservati, RPtronics, 2024.