Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 0.1A, 50V - UN9111

Transistor NPN, 0.1A, 50V - UN9111
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Transistor NPN, 0.1A, 50V - UN9111. Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. C(in): 75pF. Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: 1.6mm. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Prodotto originale del produttore Matsushita. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 22:25.

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DTA114EE

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Transistor NPN, 50mA, SOT-416 ( 1.6x0.8mm ), 50V. Corrente del collettore: 50mA. Custodia (secondo s...
DTA114EE
Transistor NPN, 50mA, SOT-416 ( 1.6x0.8mm ), 50V. Corrente del collettore: 50mA. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 14. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 14. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V
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Transistor NPN, 50mA, SOT-416 ( 1.6x0.8mm ), 50V. Corrente del collettore: 50mA. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 14. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 14. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V
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