Transistor

Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

C(in): 2600pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1700 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. Marcatura sulla cassa: K20J50D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. Rds sulla resistenza attiva: 0.22 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 100 ns. Tecnologia: Tipo POWER MOS ad effetto di campo (MOSVII). Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 800pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 10uA. Marcatura sulla cassa: K6A60D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 1050pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Regolatore di commutazione. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 10uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 470pF. Costo): 13pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 230 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: per regolatori di tensione in modalità switching. Id(imp): 28A. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 10uA. Marcatura sulla cassa: TK7P60W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: MOSFET (DTMOSIV). Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.7V. Vgs(esimo) min.: 2.7V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 1350pF. Costo): 135pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 30Ap. Idss (massimo): 10uA. Marcatura sulla cassa: K8A65D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.7 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVII). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-10U1B. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (massimo): 0.3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: 9.31k Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 240V. Quantità per scatola: 1

Funzione: SAMSUNG 0505-001417. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SMD SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2

Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 400V. Corrente del collettore: 1A. Potenza: 1W. Alloggiamento: TO-92

Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 50V. Corrente del collettore: 3A. Potenza: 0.75W. Frequenza massima: 90MHz. Alloggiamento: TO-92

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: PDFN56. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 58 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 7150pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 136W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: PDFN56. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 75 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 6435pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 136W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: PDFN56. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 3 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 47 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4456pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 107W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: PDFN56. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 35 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5022pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 107W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: PDFN56. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 56 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 6870pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 136W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: PDFN56. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 78 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 6253pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 136W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -4.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 75 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 745pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tensione drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 0.6V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.1 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21.8 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 562pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Ad alta velocità.. Guadagno hFE massimo: 15. Guadagno hFE minimo: 4. Corrente del collettore: 18A. Ic(impulso): 35A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tf(massimo): 0.2us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PMLH. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. Diodo CE: sì

Costo): 110pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Vbe(sat)1.5V. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FI. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: con resistenza di polarizzazione Rbe. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 110pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Applicazioni di uscita con deflessione orizzontale per TV a colori. Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.3us. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FI. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: con resistenza di polarizzazione Rbe. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 80pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Applicazioni di uscita con deflessione orizzontale per TV a colori. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 80pF. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Marcatura sulla cassa: H21. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: *SMD SO6*. Custodia (secondo scheda tecnica): EMT6. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 6. Nota: serigrafia/codice SMD H21

Marcatura sulla cassa: H9C. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: *SMD SO6*. Custodia (secondo scheda tecnica): EMT6. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 6. Nota: serigrafia/codice SMD H9C