Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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TT2140LS

TT2140LS
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TT2140LS. Costo): 110pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Applicazioni di uscita con deflessione orizzontale per TV a colori. Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.3us. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FI. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: con resistenza di polarizzazione Rbe. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 14:25.

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Prodotti equivalenti :

Esaurito
2SD2499

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Resistenza BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. F...
2SD2499
Resistenza BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: CTV-HA. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 5V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
2SD2499
Resistenza BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: CTV-HA. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 5V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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BU1508DX

BU1508DX

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 7. Guada...
BU1508DX
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 7. Guadagno hFE minimo: 4. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza. Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 13.5V
BU1508DX
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 7. Guadagno hFE minimo: 4. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza. Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 13.5V
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