Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 3.13€ | 3.82€ |
5 - 9 | 2.97€ | 3.62€ |
10 - 24 | 2.81€ | 3.43€ |
25 - 49 | 2.66€ | 3.25€ |
50 - 99 | 2.59€ | 3.16€ |
100 - 249 | 2.53€ | 3.09€ |
250+ | 2.44€ | 2.98€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.13€ | 3.82€ |
5 - 9 | 2.97€ | 3.62€ |
10 - 24 | 2.81€ | 3.43€ |
25 - 49 | 2.66€ | 3.25€ |
50 - 99 | 2.59€ | 3.16€ |
100 - 249 | 2.53€ | 3.09€ |
250+ | 2.44€ | 2.98€ |
2SD2499. Resistenza BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: CTV-HA. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 5V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.
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