Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

2SD2499

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1 - 4 3.13€ 3.82€
5 - 9 2.97€ 3.62€
10 - 24 2.81€ 3.43€
25 - 49 2.66€ 3.25€
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2SD2499. Resistenza BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: CTV-HA. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 5V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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Resistenza BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. F...
2SD2499-PMC
Resistenza BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: CTV-HA. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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Resistenza BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: CTV-HA. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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