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Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V - 2SD2499-PMC

Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V - 2SD2499-PMC
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5 - 9 2.74€ 3.34€
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Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V - 2SD2499-PMC. Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: CTV-HA. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: Rbe 40 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Pmc. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 20:25.

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Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: CTV-HA. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 5V
2SD2499
Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: CTV-HA. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 5V
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