Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SC9013

2SC9013
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2SC9013. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

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Costo): 28pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Operazione push-pull di classe B. Guadagn...
SS9013F
Costo): 28pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Operazione push-pull di classe B. Guadagno hFE massimo: 135. Guadagno hFE minimo: 96. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.16V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 1. Spec info: eccellente linearità hFE. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Costo): 28pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Operazione push-pull di classe B. Guadagno hFE massimo: 135. Guadagno hFE minimo: 96. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.16V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 1. Spec info: eccellente linearità hFE. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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