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SS9013F

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SS9013F. Costo): 28pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Operazione push-pull di classe B. Guadagno hFE massimo: 135. Guadagno hFE minimo: 96. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.16V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 1. Spec info: eccellente linearità hFE. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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BC337-25

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Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 210 MHz. Guadagno hFE...
BC337-25
Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 210 MHz. Guadagno hFE massimo: 630. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.8A. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC327-25. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BC337-25
Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 210 MHz. Guadagno hFE massimo: 630. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.8A. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC327-25. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Co...
BC327-40
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Do: 4pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Mate...
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1N4007

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VRRM: 1000V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semi...
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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Co...
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Alloggiamento: DIP14. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 14. Num...
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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Co...
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