Transistor

C(in): 2400pF. Costo): 650pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 290 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PowerMESH™ MOSFET. Id(imp): 136A. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 34A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W34NB20. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Rds sulla resistenza attiva: 0.62 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 17 ns. Td(acceso): 30 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 4 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: Alimentatori switching SMPS, convertitori DC-AC. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (massimo): 35A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 255W. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: MDmesh II. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 600V. Funzione: Idm--140Ap(pulsed). Quantità per scatola: 1

C(in): 4300pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 43NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 255W. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 120ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: MDmesh II. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Bassa resistenza di ingresso del gate. Protezione GS: NINCS

C(in): 3800pF. Costo): 1250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 508 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: W45NM60. Pd (dissipazione di potenza, massima): 417W. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Protezione GS: NINCS

C(in): 1250pF. Costo): 128pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 700 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 22.4A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 13 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 1154pF. Costo): 106pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 605 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W5NK100Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 2.7 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 51.5 ns. Td(acceso): 22.5 ns. Tecnologia: SuperMESH3™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 1000V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

C(in): 1350pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 840 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W7NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 1.56 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 950 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W9NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: HIGH SWITCH. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Alta velocità. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 37W. Rds sulla resistenza attiva: 0.05 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 7 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Numero di terminali: 3. Tecnologia: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Quantità per scatola: 1

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SUP53P06-20. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -53A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0195 Ohms @ -30A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 104W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SUP75N03-04. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 190 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 10742pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 187W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 3535pF. Costo): 680pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 41 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 85A. ID (T=25°C): 85A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 78W. Rds sulla resistenza attiva: 0.003 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: TrenchFET® Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Funzione: Alimentatore, convertitore CC/CC. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. Protezione GS: NINCS

Tipo di transistor: transistor PNP. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -20V. Corrente del collettore: -1A. Potenza: 1W. Frequenza massima: 65MHz. Alloggiamento: TO-92

Tipo di transistor: transistor PNP. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -45V. Corrente del collettore: -1A. Potenza: 0.8W. Frequenza massima: 150MHz. Alloggiamento: TO-92

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Corrente del collettore: 7A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: ISOWATT218. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1

C(in): 5500pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Diodo al germanio: soppressore. Corrente del collettore: 240A. Ic(impulso): 240A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 46 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F-3FS. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 3.6V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 430V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 33V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Numero di terminali: 3. Funzione: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Varie: flash, controllo stroboscopio. Tecnologia: Enhancement type. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). Diodo CE: NINCS

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Resistenza BE: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Funzione: commutazione, amplificatore audio. Spec info: transistor complementare (coppia) Diodo TIP107. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor Darlington. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Funzione: commutazione, amplificatore audio. Spec info: transistor complementare (coppia) Diodo TIP102. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 500. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 4A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Nota: >1000. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2)

Costo): 2pF. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Nota: >1000. Quantità per scatola: 1. Spec info: TO-220. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP120. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP122. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. Frequenza di taglio ft [MHz]: silicio. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP127

Resistenza B: sì. Resistenza BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. C(in): TO-220. Costo): 200pF. Condizionamento: tubo di plastica. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: +150°C. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Funzione: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Unità di condizionamento: 50. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP127G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP126. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C