STW45NM60

STW45NM60. C(in): 3800pF. Costo): 1250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 508 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: W45NM60. Pd (dissipazione di potenza, massima): 417W. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.