Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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TIP110

TIP110
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1 - 4 0.85€ 1.04€
5 - 9 0.81€ 0.99€
10 - 24 0.77€ 0.94€
25 - 25 0.73€ 0.89€
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TIP110. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 500. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 4A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Nota: >1000. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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TIP122

TIP122

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PC...
TIP122
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP122. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. Frequenza di taglio ft [MHz]: silicio. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP127
TIP122
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP122. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. Frequenza di taglio ft [MHz]: silicio. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP127
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TIP127
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TIP127
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0.56€ IVA incl.
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1N4007

1N4007

VRRM: 1000V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semi...
1N4007
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NE555P

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RoHS: sì. Famiglia di componenti: circuiti "timer".. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D...
NE555P
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1N4148

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Do: 4pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Mate...
1N4148
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LM317T

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Custodia (standard JEDEC): 1.5A. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di termina...
LM317T
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TIP142

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Costo): 60pF. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor D...
TIP142
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TIP142
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Esaurito
2N2222A

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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-18. Custodia (standard JEDEC): TO-18. Con...
2N2222A
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TIP36C

TIP36C

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): 45pF. Con...
TIP36C
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TIP36C
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LM358P

LM358P

Numero di circuiti: 2. Larghezza di banda [MHz]: 0.7 MHz. Velocità di risposta [V/us]: 0.3V/us. Ten...
LM358P
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LM358P
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