SUP85N03-3M6P

SUP85N03-3M6P. C(in): 3535pF. Costo): 680pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 41 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 85A. ID (T=25°C): 85A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 78W. Rds sulla resistenza attiva: 0.003 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: TrenchFET® Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Funzione: Alimentatore, convertitore CC/CC. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.