TIP122G

TIP122G. Resistenza B: sì. Resistenza BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. C(in): TO-220. Costo): 200pF. Condizionamento: tubo di plastica. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: +150°C. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Funzione: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Unità di condizionamento: 50. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP127G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.