Transistor a canale N, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V - SUD15N06-90L
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.44€ | 4.20€ |
| 5 - 9 | 3.26€ | 3.98€ |
| 10 - 24 | 3.16€ | 3.86€ |
| 25 - 49 | 3.09€ | 3.77€ |
| 50 - 99 | 3.02€ | 3.68€ |
| 100 - 249 | 2.92€ | 3.56€ |
| 250+ | 2.82€ | 3.44€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.44€ | 4.20€ |
| 5 - 9 | 3.26€ | 3.98€ |
| 10 - 24 | 3.16€ | 3.86€ |
| 25 - 49 | 3.09€ | 3.77€ |
| 50 - 99 | 3.02€ | 3.68€ |
| 100 - 249 | 2.92€ | 3.56€ |
| 250+ | 2.82€ | 3.44€ |
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Transistor a canale N, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V - SUD15N06-90L. Transistor a canale N, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 15A. Rds sulla resistenza attiva: 0.05 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 37W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Prodotto originale del produttore Vishay. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 20:25.
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Transistor a canale N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 370pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 68A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 4.9 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
Transistor a canale N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 370pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 68A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 4.9 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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