SUD15N06-90L
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.44€ | 4.20€ |
| 5 - 9 | 3.26€ | 3.98€ |
| 10 - 24 | 3.09€ | 3.77€ |
| 25 - 49 | 2.92€ | 3.56€ |
| 50 - 99 | 2.85€ | 3.48€ |
| 100 - 249 | 2.78€ | 3.39€ |
| 250+ | 2.68€ | 3.27€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.44€ | 4.20€ |
| 5 - 9 | 3.26€ | 3.98€ |
| 10 - 24 | 3.09€ | 3.77€ |
| 25 - 49 | 2.92€ | 3.56€ |
| 50 - 99 | 2.85€ | 3.48€ |
| 100 - 249 | 2.78€ | 3.39€ |
| 250+ | 2.68€ | 3.27€ |
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SUD15N06-90L. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 37W. Rds sulla resistenza attiva: 0.05 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 7 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Numero di terminali: 3. Tecnologia: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.
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C(in): 370pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 4.9 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS
C(in): 370pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 4.9 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS
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