STW43NM60ND

STW43NM60ND. C(in): 4300pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 43NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 255W. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 120ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: MDmesh II. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Bassa resistenza di ingresso del gate. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.