Transistor

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P60NF06L. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 35 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 55 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Custodia (standard JEDEC): 1. Spec info: carica gate bassa, VGS(th) 1...2,5 V

C(in): 1330pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 45 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: completamente protetto. Id(imp): 248A. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. Ids: 0.01mA. Idss (massimo): 62A. Marcatura sulla cassa: P62NS04Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 12.5m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 33V. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 1700pF. Costo): 400pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 70us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 240A. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P65NF06. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0115 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 905pF. Costo): 115pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 445 ns. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P6NK60Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 104W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 47 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 905pF. Costo): 115pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 445 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P6NK60ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 47 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 1350pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 840 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P6NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 1.56 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 1350pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 840 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P6NK90ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 1.56 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 3700pF. Costo): 730pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 132 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P75NF75. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0095 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 66 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 75V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Zener-Protected. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 6.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PowerMesh. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. Quantità per scatola: 1

C(in): 1138pF. Costo): 122pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 530 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20.8A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P7NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Zener-Protected. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P7NK80Z. Tensione drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1138pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: N. Alloggiamento: TO-220FP. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA . Id(imp): 20.8A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P7NK80ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Vgs(esimo) min.: 3.75V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 5.2A. Rds sulla resistenza attiva: 1.8 Ohms. Numero di terminali: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Tensione drain-source (Vds): 800V. Protezione GS: sì

C(in): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P80NF06. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0065 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P80NF10. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 40A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 26 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 116 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 4300pF. Costo): 600pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 155 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P80NF12. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.013 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 134 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 120V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0065 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Funzione: controllo motore, amplificatore audio. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS

C(in): 2550pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 392A. ID (T=100°C): 68A. ID (T=25°C): 98A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 80NF70. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0098 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 68V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 5500pF. Costo): 1130pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 80A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 165 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: STripFETTM II Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 2350pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 680 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Zener-Protected. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.3A. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: PowerMESH™III MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 700V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: sì

C(in): 1320pF. Costo): 143pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 24.8A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P8NK80ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 1.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PowerMesh. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Quantità per scatola: 1

C(in): 910pF. Costo): 125pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 238 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P9NK50Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 910pF. Costo): 125pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 238 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P9NK50ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

C(in): 1110pF. Costo): 135pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 480 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1us. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Quantità per scatola: 1

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P9NK60Z. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.95 Ohms @ 3.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 19 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 43 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1100pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C