STP6NK60Z

STP6NK60Z. C(in): 905pF. Costo): 115pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 445 ns. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P6NK60Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 104W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 47 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.