STP7NC80ZFP
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 24.83€ | 30.29€ |
| 2 - 2 | 23.59€ | 28.78€ |
| 3 - 4 | 22.34€ | 27.25€ |
| 5 - 9 | 21.10€ | 25.74€ |
| 10 - 14 | 20.61€ | 25.14€ |
| 15 - 19 | 20.11€ | 24.53€ |
| 20+ | 19.37€ | 23.63€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 24.83€ | 30.29€ |
| 2 - 2 | 23.59€ | 28.78€ |
| 3 - 4 | 22.34€ | 27.25€ |
| 5 - 9 | 21.10€ | 25.74€ |
| 10 - 14 | 20.61€ | 25.14€ |
| 15 - 19 | 20.11€ | 24.53€ |
| 20+ | 19.37€ | 23.63€ |
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STP7NC80ZFP. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Zener-Protected. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 6.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PowerMesh. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.
Prodotti equivalenti :
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C(in): 1320pF. Costo): 143pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFE...
C(in): 1320pF. Costo): 143pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 24.8A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P8NK80ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 1.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
C(in): 1320pF. Costo): 143pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 24.8A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P8NK80ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 1.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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