STP8NK80ZFP

STP8NK80ZFP. C(in): 1320pF. Costo): 143pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 24.8A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P8NK80ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 1.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.