Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.58€ | 1.93€ |
5 - 9 | 1.50€ | 1.83€ |
10 - 24 | 1.42€ | 1.73€ |
25 - 49 | 1.34€ | 1.63€ |
50 - 99 | 1.13€ | 1.38€ |
100 - 249 | 1.10€ | 1.34€ |
250 - 392 | 1.05€ | 1.28€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.58€ | 1.93€ |
5 - 9 | 1.50€ | 1.83€ |
10 - 24 | 1.42€ | 1.73€ |
25 - 49 | 1.34€ | 1.63€ |
50 - 99 | 1.13€ | 1.38€ |
100 - 249 | 1.10€ | 1.34€ |
250 - 392 | 1.05€ | 1.28€ |
STP60NF06L. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P60NF06L. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 35 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 55 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Custodia (standard JEDEC): 1. Spec info: carica gate bassa, VGS(th) 1...2,5 V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.
Informazioni e aiuto tecnico
Pagamento e consegna
Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!
Tutti i diritti riservati, RPtronics, 2024.