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STP75NF75

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STP75NF75. C(in): 3700pF. Costo): 730pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 132 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P75NF75. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0095 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 66 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 75V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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C(in): 5310pF. Costo): 890pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 93 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 550A. ID (T=100°C): 97A. ID (T=25°C): 140A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: IRF3808. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0059 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 68 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 75V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS
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