FQP13N10

FQP13N10. C(in): 345pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 72 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 51.2A. ID (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Rds sulla resistenza attiva: 0.142 Ohms. RoHS: sì. Peso: 2.07g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 5 ns. Tecnologia: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 50. Funzione: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.