IRF3808

IRF3808. C(in): 5310pF. Costo): 890pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 93 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 550A. ID (T=100°C): 97A. ID (T=25°C): 140A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: IRF3808. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0059 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 68 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 75V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 23:25.