Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.25€ | 2.75€ |
5 - 9 | 2.14€ | 2.61€ |
10 - 24 | 2.02€ | 2.46€ |
25 - 49 | 1.91€ | 2.33€ |
50 - 99 | 1.87€ | 2.28€ |
100 - 101 | 1.71€ | 2.09€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.25€ | 2.75€ |
5 - 9 | 2.14€ | 2.61€ |
10 - 24 | 2.02€ | 2.46€ |
25 - 49 | 1.91€ | 2.33€ |
50 - 99 | 1.87€ | 2.28€ |
100 - 101 | 1.71€ | 2.09€ |
Transistor a canale N, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V - IRF1407. Transistor a canale N, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0078 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 5600pF. Costo): 890pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tensione di soglia del diodo: 1.3V. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 520A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 06:25.
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