IRF1407

IRF1407. C(in): 5600pF. Costo): 890pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tensione di soglia del diodo: 1.3V. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 520A. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0078 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 75V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.