Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V - STP7NK80ZFP

Transistor a canale N, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V - STP7NK80ZFP
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1 - 4 2.93€ 3.57€
5 - 9 2.79€ 3.40€
10 - 24 2.64€ 3.22€
25 - 27 2.49€ 3.04€
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Transistor a canale N, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V - STP7NK80ZFP. Transistor a canale N, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V. Alloggiamento: TO-220FP. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. Rds sulla resistenza attiva: 1.8 Ohms. Tensione drain-source (Vds): 800V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA . Id(imp): 20.8A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P7NK80ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vgs(esimo) min.: 3.75V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 5.2A. Numero di terminali: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 20:25.

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FQPF8N80C

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Transistor a canale N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID ...
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STP8NK80ZFP

STP8NK80ZFP

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Transistor a canale N, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.3 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1320pF. Costo): 143pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 24.8A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P8NK80ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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Transistor a canale N, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.3 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1320pF. Costo): 143pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 24.8A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P8NK80ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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