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STP9NB60

STP9NB60
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STP9NB60. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PowerMesh. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 23:25.

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