IRFB9N60A

IRFB9N60A. C(in): 1400pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 530 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.