Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

MBR10200CT

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MBR10200CT. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. RM (max): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.99V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V. Prodotto originale del produttore Taiwan Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 16:25.

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MBR20200CT
Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 75A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220-3. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. RM (max): 6mA. RM (min): 0.05mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 150Ap (peak total). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione diretta Vf (min): 0.9V
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Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 75A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220-3. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. RM (max): 6mA. RM (min): 0.05mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 150Ap (peak total). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione diretta Vf (min): 0.9V
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