Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 400A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8.9x8.8mm ). VRRM: 1000V. Do: 120pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 100uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 28.7k Ohms. Equivalenti: P1000M, 10A07-TP. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 12A. IFSM: 330A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 100V. Do: 183pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Equivalenti: VS-12CWQ06FN-M3, VS-12CWQ06FNTR-M3. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--2x165A (t=5us), Vf max--0.65V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V

Corrente diretta (AV): 19A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 15V. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: Vfm 0.36V/19A. Nota: 700App/5us, 330App/10ms. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C

VRRM: 100V. Alloggiamento: DO-41. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Tensione diretta Vf (min): 1.1V. RoHS: sì. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Alloggiamento: DO-41. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. RoHS: sì. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Alloggiamento: DO35. VRRM: 100V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.2A. Tipo di diodo: Switching. Configurazione del diodo: indipendente. Tensione diretta (massima): <1.0V / 0.01A. Tipo di montaggio: THT. Corrente di dispersione inversa: 5uA / 75V. Tempo di recupero inverso (max): 4ns. Serie: 1N4148

Corrente diretta (AV): 150mA. IFSM: 300mA. Alloggiamento: SOD-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-323F. VRRM: 100V. Do: 2pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi ad alta velocità. Altro nome: IN4148. RM (max): 1uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. Dimensioni: 1,7x1,25x1 mm. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--1us 1A, 1s 0.35A. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.715V

VRRM: 100V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.125A. Tipo di diodo: Switching. Configurazione del diodo: indipendente. Tipo di montaggio: SMD. Tempo di recupero inverso (max): 4ns. Serie: 1N4148

Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 75V. Diodo Trr (min.): 2 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo di commutazione ultraveloce, Ifsm 1us 2A. RM (max): 50nA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO41. VRRM: 200V. Do: 15pF. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida per un elevata efficienza. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Spec info: 30App/8.3ms. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 300V. Do: 20pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: elevata capacità di corrente, bassa caduta di tensione diretta. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 500V. Do: 20pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: elevata capacità di corrente, bassa caduta di tensione diretta. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 1000V. Do: 20pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: elevata capacità di corrente, bassa caduta di tensione diretta. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

VRRM: 400V. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Alloggiamento: DO-201. VRRM: 1000V. Corrente raddrizzata media per diodo: 3A. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Configurazione del diodo: indipendente. Tensione diretta (massima): <1.0V / 3A. Tipo di montaggio: THT. Tempo di recupero inverso (max): 1500ns. Serie: 1N54

Corrente diretta (AV): 15mA. Alloggiamento: SOD-123. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD123. VRRM: 70V. Do: 2pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Rilevazione VHF/UHF. Nota: Diodo Schottky. RM (max): 0.2uA. Marcatura sulla cassa: SA. Numero di terminali: 2. Dimensioni: 2.85x1.7x1.35mm. RoHS: sì. Spec info: f=1MHz 2pF. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.41V

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 25A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 30 v. Do: 110pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.875V. Tensione diretta Vf (min): 0.55V

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 25A. Alloggiamento: SOD-123. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). VRRM: 40V. Do: 50pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 1.5mA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: SL. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Potenza: 450mW. Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.75V. Tensione diretta Vf (min): 0.32V

VRRM: 40V. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.6x5.6mm ). RoHS: sì. Do: 250pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Numero di terminali: 2. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.475V

Corrente diretta (AV): 15mA. IFSM: 50mA. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 60V. Do: 2.2pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Ultrafast switching. Nota: Diodo Schottky di commutazione. Nota: f=1MHz 2.2pF. Nota: Rilevazione VHF/UHF. RM (max): 0.2uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -60...+200°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.41V

Corrente diretta (AV): 130mA. IFSM: 400mA. Alloggiamento: DO-34 ( SOD68 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-34. VRRM: 80V. Do: 2pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione ad alta velocità. RM (max): 0.5uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V

Corrente diretta (AV): 100mA. IFSM: 500mA. Alloggiamento: SOD-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-323 ( 1.7x1.25mm ). VRRM: 80V. Do: 3pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM 0.5A (t=1s). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V