Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 0.8A. VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 400A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8.9x8.8mm ). VRRM: 1000V. Do: 120pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 100uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 28.7k Ohms. Equivalenti: P1000M, 10A07-TP. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 12A. IFSM: 330A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 100V. Do: 183pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Equivalenti: VS-12CWQ06FN-M3, VS-12CWQ06FNTR-M3. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--2x165A (t=5us), Vf max--0.65V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V

Corrente diretta (AV): 150A. IFSM: 1600A. Custodia (secondo scheda tecnica): POWERTAB. VRRM: 200V. Do: 180pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 45 ns. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di recupero graduale ultraveloce. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--1600Ap (Tc--25). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.13V. Tensione diretta Vf (min): 0.99V

Corrente diretta (AV): 150A. IFSM: 1500A. Custodia (secondo scheda tecnica): POWERTAB. VRRM: 400V. Do: 100pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di recupero graduale ultraveloce. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.07V

Corrente diretta (AV): 19A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 15V. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: Vfm 0.36V/19A. Nota: 700App/5us, 330App/10ms. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C

Alloggiamento: DO41. VRRM: 100V. Corrente raddrizzata media per diodo: 1A. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Configurazione del diodo: indipendente. Tensione diretta (massima): <1.1V / 1A. Tipo di montaggio: THT. Corrente di dispersione inversa: <50uA / 100V. Tempo di recupero inverso (max): 1500ns. Serie di prodotti: 1N40. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

RoHS: sì. Alloggiamento: SOD-323. Famiglia di componenti: Diodo al silicio per piccolo segnale. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.1A. Ifsm [A]: 2A. Tensione diretta Vfmax (V): 1V @ 10mA. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 75V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 25nA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Corrente diretta (AV): 500mA. IFSM: 1A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 100V. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 50uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-35. Corrente diretta [A]: 0.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo al silicio per piccolo segnale. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Ifsm [A]: 4A. Tensione diretta Vfmax (V): 1V @ 10mA. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 25nA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Corrente diretta (AV): 0.3A. IFSM: 4A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 50V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C

Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 75V. Diodo Trr (min.): 2 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo di commutazione ultraveloce, Ifsm 1us 2A. RM (max): 50nA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO41. VRRM: 200V. Do: 15pF. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida per un elevata efficienza. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Spec info: 30App/8.3ms. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm. VRRM: 800V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon Rectifier. RM (max): uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 3.3mA. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 100V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo. Nota: diodo tunnel. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 300V. Do: 20pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: elevata capacità di corrente, bassa caduta di tensione diretta. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 500V. Do: 20pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: elevata capacità di corrente, bassa caduta di tensione diretta. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 1000V. Do: 20pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: elevata capacità di corrente, bassa caduta di tensione diretta. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 200V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: interasse 15mm. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 1000V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 15mA. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 70V. Do: 2pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Rilevazione VHF/UHF. Nota: Diodo Schottky. RM (max): 0.2uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: f=1MHz 2pF. Passo: 4.5x2mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.41V