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Semiconduttori Diodi
Diodi standard e raddrizzatori

Diodi standard e raddrizzatori

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0402-000382

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Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 0.8A. VRRM: 400V...
0402-000382
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 0.8A. VRRM: 400V
0402-000382
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 0.8A. VRRM: 400V
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0.85€ IVA incl.
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10A10

10A10

Do: 120pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns....
10A10
Do: 120pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 400A. RM (max): 100uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 28.7k Ohms. Equivalenti: P1000M, 10A07-TP. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8.9x8.8mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms
10A10
Do: 120pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 400A. RM (max): 100uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 28.7k Ohms. Equivalenti: P1000M, 10A07-TP. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8.9x8.8mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms
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12CWQ10FN

12CWQ10FN

Do: 183pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore:...
12CWQ10FN
Do: 183pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 12A. IFSM: 330A. Equivalenti: VS-12CWQ06FN-M3, VS-12CWQ06FNTR-M3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V. VRRM: 100V. Numero di terminali: 2. Spec info: Ifsm--2x165A (t=5us), Vf max--0.65V
12CWQ10FN
Do: 183pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 12A. IFSM: 330A. Equivalenti: VS-12CWQ06FN-M3, VS-12CWQ06FNTR-M3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V. VRRM: 100V. Numero di terminali: 2. Spec info: Ifsm--2x165A (t=5us), Vf max--0.65V
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150EBU02

150EBU02

Do: 180pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 45 ns. U...
150EBU02
Do: 180pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 45 ns. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 150A. IFSM: 1600A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): POWERTAB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.13V. Tensione diretta Vf (min): 0.99V. VRRM: 200V. Spec info: IFSM--1600Ap (Tc--25). Funzione: Diodo di recupero graduale ultraveloce
150EBU02
Do: 180pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 45 ns. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 150A. IFSM: 1600A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): POWERTAB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.13V. Tensione diretta Vf (min): 0.99V. VRRM: 200V. Spec info: IFSM--1600Ap (Tc--25). Funzione: Diodo di recupero graduale ultraveloce
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150EBU04

150EBU04

Do: 100pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. U...
150EBU04
Do: 100pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 150A. IFSM: 1500A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): POWERTAB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.07V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Funzione: Diodo di recupero graduale ultraveloce
150EBU04
Do: 100pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 150A. IFSM: 1500A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): POWERTAB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.07V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Funzione: Diodo di recupero graduale ultraveloce
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15.13€ IVA incl.
(12.40€ Iva esclusa)
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19TQ015

19TQ015

Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 19A. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/inst...
19TQ015
Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 19A. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. VRRM: 15V. Nota: 700App/5us, 330App/10ms. Nota: Vfm 0.36V/19A
19TQ015
Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 19A. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. VRRM: 15V. Nota: 700App/5us, 330App/10ms. Nota: Vfm 0.36V/19A
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3.72€ IVA incl.
(3.05€ Iva esclusa)
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1N4002

1N4002

VRRM: 100V. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente di dispersione in chiusura Ir...
1N4002
VRRM: 100V. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: DO-41 ( DO-204AL ). Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Alloggiamento: DO41. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Configurazione del diodo: indipendente. Tensione diretta (massima): <1.1V / 1A. Tipo di montaggio: THT. Corrente raddrizzata media per diodo: 1A. Corrente di dispersione inversa: <50uA / 100V. Tempo di recupero inverso (max): 1500ns. Serie di prodotti: 1N40
1N4002
VRRM: 100V. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: DO-41 ( DO-204AL ). Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Alloggiamento: DO41. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Configurazione del diodo: indipendente. Tensione diretta (massima): <1.1V / 1A. Tipo di montaggio: THT. Corrente raddrizzata media per diodo: 1A. Corrente di dispersione inversa: <50uA / 100V. Tempo di recupero inverso (max): 1500ns. Serie di prodotti: 1N40
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1N4003

1N4003

Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: s...
1N4003
Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 200V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
1N4003
Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 200V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
Set da 10
0.60€ IVA incl.
(0.49€ Iva esclusa)
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1N4004

1N4004

RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Ca...
1N4004
RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): DO-41. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
1N4004
RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): DO-41. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
Set da 10
0.44€ IVA incl.
(0.36€ Iva esclusa)
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Quantità in magazzino : 3187
1N4005

1N4005

Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: s...
1N4005
Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms
1N4005
Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms
Set da 10
0.52€ IVA incl.
(0.43€ Iva esclusa)
0.52€
Quantità in magazzino : 116125
1N4148WS

1N4148WS

RoHS: sì. Alloggiamento: SOD-323. Do: 2pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-C...
1N4148WS
RoHS: sì. Alloggiamento: SOD-323. Do: 2pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi ad alta velocità. Corrente diretta (AV): 150mA. IFSM: 300mA. Altro nome: IN4148. RM (max): 1uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. Dimensioni: 1,7x1,25x1 mm. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-323F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.715V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm--1us 1A, 1s 0.35A
1N4148WS
RoHS: sì. Alloggiamento: SOD-323. Do: 2pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi ad alta velocità. Corrente diretta (AV): 150mA. IFSM: 300mA. Altro nome: IN4148. RM (max): 1uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. Dimensioni: 1,7x1,25x1 mm. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-323F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.715V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm--1us 1A, 1s 0.35A
Set da 10
0.29€ IVA incl.
(0.24€ Iva esclusa)
0.29€
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1N4149

1N4149

Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 500mA. IFSM: 1A. R...
1N4149
Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 500mA. IFSM: 1A. RM (max): 50uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. VRRM: 100V
1N4149
Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 500mA. IFSM: 1A. RM (max): 50uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. VRRM: 100V
Set da 10
1.88€ IVA incl.
(1.54€ Iva esclusa)
1.88€
Quantità in magazzino : 14454
1N4149TR

1N4149TR

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo al silicio per piccolo segnale. Alloggiamento: saldatura PC...
1N4149TR
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo al silicio per piccolo segnale. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-35. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.5A. Ifsm [A]: 4A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 25nA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1V @ 10mA
1N4149TR
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo al silicio per piccolo segnale. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-35. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.5A. Ifsm [A]: 4A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 25nA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1V @ 10mA
Set da 5
0.96€ IVA incl.
(0.79€ Iva esclusa)
0.96€
Quantità in magazzino : 303
1N4150

1N4150

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Corrente diretta ...
1N4150
Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Corrente diretta (AV): 0.3A. IFSM: 4A. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C. VRRM: 50V
1N4150
Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Corrente diretta (AV): 0.3A. IFSM: 4A. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C. VRRM: 50V
Set da 10
0.74€ IVA incl.
(0.61€ Iva esclusa)
0.74€
Quantità in magazzino : 953
1N4151

1N4151

Diodo Trr (min.): 2 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo di commutazione ultravelo...
1N4151
Diodo Trr (min.): 2 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo di commutazione ultraveloce, Ifsm 1us 2A. Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. RM (max): 50nA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 75V
1N4151
Diodo Trr (min.): 2 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo di commutazione ultraveloce, Ifsm 1us 2A. Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. RM (max): 50nA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 75V
Set da 25
1.15€ IVA incl.
(0.94€ Iva esclusa)
1.15€
Quantità in magazzino : 494
1N4935

1N4935

Do: 15pF. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida...
1N4935
Do: 15pF. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida per un elevata efficienza. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO41. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. VRRM: 200V. Spec info: 30App/8.3ms
1N4935
Do: 15pF. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida per un elevata efficienza. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO41. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. VRRM: 200V. Spec info: 30App/8.3ms
Set da 10
0.67€ IVA incl.
(0.55€ Iva esclusa)
0.67€
Quantità in magazzino : 9336
1N4937

1N4937

RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Ca...
1N4937
RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida per un elevata efficienza. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
1N4937
RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida per un elevata efficienza. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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1N5062

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Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Fu...
1N5062
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon Rectifier. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (max): uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 800V
1N5062
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon Rectifier. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (max): uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 800V
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1N5309

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo. Corrente diretta (AV):...
1N5309
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo. Corrente diretta (AV): 3.3mA. Nota: diodo tunnel. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 100V
1N5309
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo. Corrente diretta (AV): 3.3mA. Nota: diodo tunnel. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 100V
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1N5394

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Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (...
1N5394
Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 300V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: elevata capacità di corrente, bassa caduta di tensione diretta. Spec info: IFSM--50Ap
1N5394
Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 300V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: elevata capacità di corrente, bassa caduta di tensione diretta. Spec info: IFSM--50Ap
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1N5396

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Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (...
1N5396
Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 500V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: elevata capacità di corrente, bassa caduta di tensione diretta. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS
1N5396
Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 500V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: elevata capacità di corrente, bassa caduta di tensione diretta. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS
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1N5399

1N5399

Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (...
1N5399
Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: elevata capacità di corrente, bassa caduta di tensione diretta. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS
1N5399
Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: elevata capacità di corrente, bassa caduta di tensione diretta. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS
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1N5402

1N5402

Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: sili...
1N5402
Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Nota: GI. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms
1N5402
Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Nota: GI. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms
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Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Mate...
1N5406
Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms
1N5406
Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms
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1N5406H

1N5406H

Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Mate...
1N5406H
Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Nota: interasse 15mm. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms
1N5406H
Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Nota: interasse 15mm. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms
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