1N4148, DO-35 ( SOD27 ), 75V, 0.2A, 200mA, 0.3A, 500mA, DO-35. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (standard JEDEC): -. VRRM: 75V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.2A. Corrente diretta (AV): 200mA. Corrente diretta [A]: 0.3A. IFSM: 500mA. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Altro nome: IN4148. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Capacità: 4pF. Configurazione del diodo: indipendente. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 25nA..5uA. Corrente di dispersione inversa: 5uA / 75V. Corrente di impulso max.: 1A. Diodo Trr (min.): 4 ns. Do: 4pF. Famiglia di componenti: Diodo al silicio per piccolo segnale. Funzione: Diodi ad alta velocità. Guida corrente: 200mA. Ifsm [A]: 2A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura del produttore: 1N4148. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Numero di terminali: 2. Potenza: 0.5W. Quantità per scatola: 1. RM (max): 50uA. RM (min): 25nA. RoHS: sì. Serie: 1N4148. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Struttura a semiconduttore: diodo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di reazione: 4ns. Tempo di recupero inverso (max): 4ns. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 1V. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione di soglia: 1V. Tensione diretta (massima): <1.0V / 0.01A. Tensione diretta Vf (min): 1V. Tensione massima inversa: 75V. Tipo di diodo: diodo di commutazione. Tipo di montaggio: THT. Tipo di semiconduttore: diodo. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 10mA. Prodotto originale del produttore: Div. Quantità minima: 25. Quantità in stock aggiornata il 23/11/2025, 12:29