STP62NS04Z

STP62NS04Z. C(in): 1330pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 45 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: completamente protetto. Id(imp): 248A. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. Ids: 0.01mA. Idss (massimo): 62A. Marcatura sulla cassa: P62NS04Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 12.5m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 33V. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.