Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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STP6NK60ZFP

STP6NK60ZFP
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STP6NK60ZFP. C(in): 905pF. Costo): 115pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 445 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P6NK60ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 47 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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C(in): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 6A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 6A. Marcatura sulla cassa: K3562. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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C(in): 1300pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2545. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 45 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì
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C(in): 1300pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2545. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 45 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì
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