Transistor

C(in): 1180pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 110us. Tensione di soglia del diodo: 1.3V. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Rds sulla resistenza attiva: 0.038 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 690pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P36NF06. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 0.032 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 27 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Funzione: trr 65ns, efficiente dv/dt

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 18A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.032 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 60V. Quantità per scatola: 1. Funzione: trr 65ns, efficiente dv/dt

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P36NF06L. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 19 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 660pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 70W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Custodia (standard JEDEC): 60.4k Ohms

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (massimo): 2.9A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V

C(in): 400pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 13.2A. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P3NB60. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Rds sulla resistenza attiva: 3.3 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 11 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: PowerMESH™ MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 440pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 650 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 10.4A. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Rds sulla resistenza attiva: 4.6 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: PowerMESH™ MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Zener-Protected. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 3.5A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PowerMESH III. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 900V

Tipo di canale: N. Alloggiamento: TO-220FP. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 2.4A. Rds sulla resistenza attiva: 3.6 Ohms. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (massimo): 2.4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Rds sulla resistenza attiva: 3.3 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Tensione drain-source (Vds): 600V

C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 384 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: rapporto dv/dt molto elevato, per applicazioni di commutazione. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P3NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 3.8 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 590pF. Costo): 63pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 510 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Zener-Protected. Id(imp): 12A. ID (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 3.6 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 4.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 700pF. Costo): 95pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 600 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Voltaggio Vds(max): 800V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 700pF. Costo): 95pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 600 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P4NK50Z. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 310pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 45W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 1.76 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SuperMESH. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 4A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SuperMESH. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SuperMESH. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener

C(in): 3050pF. Costo): 380pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P55NE06. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Rds sulla resistenza attiva: 0.019 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 1300pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 75 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P55NF06. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.015 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1700pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P55NF06L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 95W. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40ms. Td(acceso): 20ms. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 1.7V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P5NK100Z. Tensione drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 23 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 52 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1154pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 690pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 485 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P5NK60ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+ °C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: -55°C...+150°C. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione GS: sì

C(in): 910pF. Costo): 98pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 17.2A. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P5NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 1.9 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Tipo di canale: N. Rds sulla resistenza attiva: 1.9 Ohms. Id(imp): 17.2A. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P5NK80ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 4.3A. Potenza: 110W. Alloggiamento: TO-220FP (TO-220-F) FULLPAK HV. Tensione drain-source (Vds): 800V. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione GS: sì

C(in): 1810pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 73ms. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 240A. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Costo): 360pF. Spec info: Eccezionale capacità dv/dt. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS