Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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STP3NK60ZFP

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STP3NK60ZFP. Tipo di canale: N. Alloggiamento: TO-220FP. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 2.4A. Rds sulla resistenza attiva: 3.6 Ohms. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (massimo): 2.4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Rds sulla resistenza attiva: 3.3 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Tensione drain-source (Vds): 600V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.

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C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 384 ns. Tipo di transistor: MOSFET....
STF3NK80Z
C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 384 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: F3NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 3.8 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
STF3NK80Z
C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 384 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: F3NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 3.8 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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