Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 1.51A, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP3NK60ZFP

Transistor a canale N, 1.51A, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP3NK60ZFP
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Transistor a canale N, 1.51A, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP3NK60ZFP. Transistor a canale N, 1.51A, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 1.51A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (massimo): 2.4A. Rds sulla resistenza attiva: 3.3 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Zener-Protected. Id(imp): 9.6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Prodotto originale del produttore Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 16:25.

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STF3NK80Z

STF3NK80Z

Transistor a canale N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ...
STF3NK80Z
Transistor a canale N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.8 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 384 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Protezione GS: sì. Id(imp): 10A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: F3NK80Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V
STF3NK80Z
Transistor a canale N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.8 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 384 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Protezione GS: sì. Id(imp): 10A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: F3NK80Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V
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